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1N3289
SI Diode
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UR
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200V
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IF
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100A
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- |
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-
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-
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TJ
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200°C
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die 1N3289 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 100A, Anwend: Leistungsgleichrichter |
Quelle: | GE General Electric Semiconduc...... [mehr]
GE General Electric Semiconductors 1973 |
Gehäuse: |
127 |
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1N3289
SI Diode
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UR
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200V
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IF
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100A
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TJ
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200°C
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die 1N3289 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 100A, Anwend: Leistungsgleichrichter |
Quelle: | GE General Electric Semiconduc...... [mehr]
GE General Electric Semiconductors 1973 |
Gehäuse: |
127 |
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