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BAX12
SI Diode
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UR
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90V
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IF
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400mA
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trr
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50nS
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TJ
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200°C
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die BAX12 ist eine Silizium Diode, U = 90V, I = 400mA, Anwend: geeignet zum schalten von induktiven Lasten zb. im Bereich Telefonie, Controlled Avalanche (kontrollie... [mehr]
die BAX12 ist eine Silizium Diode, U = 90V, I = 400mA, Anwend: geeignet zum schalten von induktiven Lasten zb. im Bereich Telefonie, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
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| Datenblatt: | PDF |
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Gehäuse: |
DO-35 |
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BAX12
SI Diode
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die BAX12 ist eine Silizium Diode, U = 90V, I = 400mA, Anwend: geeignet zum schalten von induktiven Lasten zb. im Bereich Telefonie, Controlled Avalanche (kontrollie... [mehr]
die BAX12 ist eine Silizium Diode, U = 90V, I = 400mA, Anwend: geeignet zum schalten von induktiven Lasten zb. im Bereich Telefonie, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
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| Datenblatt: | PDF |
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Gehäuse: |
DO-35 |
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