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GT20D101
SI N-IGBT Transistor
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UCE
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250V
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UGE
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20V
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IC
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20A
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Ptot
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180W
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TON/TOFF
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--
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TJ
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-
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der GT20D101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 250V, Ic = 20A, Anwend: Leistungsstufen |
Quelle: | Jaeger electronic catalog 1999 |
Gehäuse: |
- |
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GT20D101
SI N-IGBT Transistor
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UCE
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250V
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UGE
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20V
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IC
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20A
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Ptot
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180W
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TON/TOFF
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TJ
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der GT20D101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 250V, Ic = 20A, Anwend: Leistungsstufen |
Quelle: | Jaeger electronic catalog 1999 |
Gehäuse: |
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