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IGW40T120
SI N-IGBT Transistor
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UCE
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1200V
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UGE
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±20V
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IC DC/AC
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40/105A
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Ptot
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270W
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TON/TOFF
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48/480nS
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TJ
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150°C
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der IGW40T120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 40A, Anwend: Leistungsstufen
marking code: G40T120 |
| Quelle: | datasheet Infineon technologie... |
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Gehäuse: |
TO-247 |
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IGW40T120
SI N-IGBT Transistor
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UCE
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1200V
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UGE
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±20V
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IC DC/AC
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40/105A
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Ptot
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270W
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TON/TOFF
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48/480nS
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TJ
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150°C
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der IGW40T120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 40A, Anwend: Leistungsstufen
marking code: G40T120 |
| Quelle: | datasheet Infineon technologie... |
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Gehäuse: |
TO-247 |
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