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BYW51FP-200
SI Diode
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UR
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200V
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IF
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10A
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trr
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25nS
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-
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TJ
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150°C
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die BYW51FP-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 10A, Anwend: Inverter mit hoher Schaltfrequenz bei niedrigen Spannungen, Freilaufdiode sowie Verpolungsschutz,... [mehr]
die BYW51FP-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 10A, Anwend: Inverter mit hoher Schaltfrequenz bei niedrigen Spannungen, Freilaufdiode sowie Verpolungsschutz, 2- fach Diode
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| Quelle: | datasheet SGS Thomson Microele... |
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Gehäuse: |
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BYW51FP-200
SI Diode
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die BYW51FP-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 10A, Anwend: Inverter mit hoher Schaltfrequenz bei niedrigen Spannungen, Freilaufdiode sowie Verpolungsschutz,... [mehr]
die BYW51FP-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 10A, Anwend: Inverter mit hoher Schaltfrequenz bei niedrigen Spannungen, Freilaufdiode sowie Verpolungsschutz, 2- fach Diode
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| Quelle: | datasheet SGS Thomson Microele... |
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Gehäuse: |
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