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2N1309
GE PNP Transistor
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UCE/UCB
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-25/-30V
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IC
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-0.3A
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hFE
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80-300
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Ptot
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150mW
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fT
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20MHz
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TJ
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100°C
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der 2N1309 ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 300mA, Anwend: Verstärker und mittelschnelle Schaltstufen, die Basis ist mit dem Gehäuse verbunden |
Quelle: | Va Valvo Taschenbuch 1966 |
Gehäuse: |
TO-5 |
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2N1309
GE PNP Transistor
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UCE/UCB
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-25/-30V
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IC
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-0.3A
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hFE
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80-300
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Ptot
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150mW
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fT
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20MHz
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TJ
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100°C
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der 2N1309 ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 300mA, Anwend: Verstärker und mittelschnelle Schaltstufen, die Basis ist mit dem Gehäuse verbunden |
Quelle: | Va Valvo Taschenbuch 1966 |
Gehäuse: |
TO-5 |
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