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AFY14
GE PNP Transistor
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UCE/UCB
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-20/-40V
|
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IC
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-0.25A
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hFE
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12-55
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Ptot
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120mW
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fT
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60MHz
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TJ
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85°C
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der AFY14 ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 20V, Ic = 250mA, Anwend: Kleinleistungsstufen, RF drift Transistor, maximal 30MHz |
Datenblatt: | PDF |
Gehäuse: |
18B3HTS |
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AFY14
GE PNP Transistor
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UCE/UCB
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-20/-40V
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IC
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-0.25A
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hFE
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12-55
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Ptot
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120mW
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fT
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60MHz
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TJ
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85°C
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der AFY14 ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 20V, Ic = 250mA, Anwend: Kleinleistungsstufen, RF drift Transistor, maximal 30MHz |
Datenblatt: | PDF |
Gehäuse: |
18B3HTS |
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