|
AFY16
GE PNP Transistor
|
|
UCE/UCB
|
-25/-30V
|
|
IC
|
-8mA
|
hFE
|
60
|
Ptot
|
60mW
|
fT
|
550MHz
|
TJ
|
90°C
|
der AFY16 ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 8mA, Anwend: Vorstufen, Oszillatorstufen, Mischer, maximal 860MHz |
Datenblatt: | PDF + PDF |
Gehäuse: |
18A4 |
|
AFY16
GE PNP Transistor
|
|
UCE/UCB
|
-25/-30V
|
|
IC
|
-8mA
|
hFE
|
60
|
Ptot
|
60mW
|
fT
|
550MHz
|
TJ
|
90°C
|
der AFY16 ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 8mA, Anwend: Vorstufen, Oszillatorstufen, Mischer, maximal 860MHz |
Datenblatt: | PDF + PDF |
Gehäuse: |
18A4 |
|
|
|