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BD128
SI NPN Transistor
|
|
|
UCE/UCB
|
300/350V
|
|
|
IC
|
0.5A
|
|
hFE
|
30-50
|
|
Ptot
|
17.5W
|
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TON/TOFF
|
--
|
|
TJ
|
150°C
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der BD128 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 300V, Ic = 500mA, Anwend: Leistungstransistor, Universaltyp, hohe Spannungen |
| Datenblatt: | PDF |
|
Gehäuse: |
TO-126 |
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BD128
SI NPN Transistor
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UCE/UCB
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300/350V
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IC
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0.5A
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hFE
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30-50
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Ptot
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17.5W
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TON/TOFF
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TJ
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150°C
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der BD128 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 300V, Ic = 500mA, Anwend: Leistungstransistor, Universaltyp, hohe Spannungen |
| Datenblatt: | PDF |
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Gehäuse: |
TO-126 |
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