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BD157
NPN
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UCE/UCB
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250/275V
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IC
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0.5A
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hFE
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30-240
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Ptot
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20W
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TON/TOFF
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--
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TJ
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150°C
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BD157 è un transistor silicio NPN, Uce = 250V, Ic = 500mA, d´application: stadi di uscita AF in dispositiv di consumo elettronico, transistor di media p... [more]
BD157 è un transistor silicio NPN, Uce = 250V, Ic = 500mA, d´application: stadi di uscita AF in dispositiv di consumo elettronico, transistor di media potenza
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| Source: | datasheet Motorola Semiconduct... |
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Package: |
- |
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BD157
NPN
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UCE/UCB
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250/275V
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IC
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0.5A
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hFE
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30-240
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Ptot
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20W
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TON/TOFF
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TJ
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BD157 è un transistor silicio NPN, Uce = 250V, Ic = 500mA, d´application: stadi di uscita AF in dispositiv di consumo elettronico, transistor di media p... [more]
BD157 è un transistor silicio NPN, Uce = 250V, Ic = 500mA, d´application: stadi di uscita AF in dispositiv di consumo elettronico, transistor di media potenza
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| Source: | datasheet Motorola Semiconduct... |
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Package: |
- |
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