|
BD170
PNP
|
|
UCE/UCB
|
-80/-80V
|
|
IC
|
-1.5A
|
hFE
|
≥40
|
Ptot
|
20W
|
fT
|
3MHz
|
TJ
|
150°C
|
el BD170 es un transistor de silicio PNP, Uce = 80V, Ic = 1.5A, d´application: transistor de potencia PNP, aplicaciones de AF, propósito general |
datasheet: | PDF + PDF |
Package: |
TO-126 |
|
BD170
PNP
|
|
UCE/UCB
|
-80/-80V
|
|
IC
|
-1.5A
|
hFE
|
≥40
|
Ptot
|
20W
|
fT
|
3MHz
|
TJ
|
150°C
|
el BD170 es un transistor de silicio PNP, Uce = 80V, Ic = 1.5A, d´application: transistor de potencia PNP, aplicaciones de AF, propósito general |
datasheet: | PDF + PDF |
Package: |
TO-126 |
|
|
|