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BD649
SI NPN darlington Transistor
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UCE/UCB
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100/100V
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IC DC/AC
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8/12A
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hFE
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0.75-1.5k
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Ptot
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62.5W
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fT
|
7MHz
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TJ
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150°C
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der BD649 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor |
| Datenblatt: | PDF |
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Gehäuse: |
TO-220 |
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BD649
SI NPN darlington Transistor
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UCE/UCB
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100/100V
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IC DC/AC
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8/12A
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hFE
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0.75-1.5k
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Ptot
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62.5W
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fT
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7MHz
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TJ
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150°C
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der BD649 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor |
| Datenblatt: | PDF |
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Gehäuse: |
TO-220 |
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