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BD682
PNP
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UCE/UCB
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-100/-100V
|
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IC
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-4A
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hFE
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>750
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Ptot
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40W
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TON/TOFF
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--
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TJ
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150°C
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el BD682 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: dispositivos de salida en amplificador complementario de propós... [more]
el BD682 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: dispositivos de salida en amplificador complementario de propósito general, potencia media
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datasheet: | PDF + PDF |
Package: |
- |
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BD682
PNP
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UCE/UCB
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-100/-100V
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IC
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-4A
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hFE
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>750
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Ptot
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40W
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TON/TOFF
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TJ
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150°C
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el BD682 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: dispositivos de salida en amplificador complementario de propós... [more]
el BD682 es un transistor de silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 4A, d´application: dispositivos de salida en amplificador complementario de propósito general, potencia media
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datasheet: | PDF + PDF |
Package: |
- |
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