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BD810
PNP
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UCE/UCB
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-80/-80V
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IC
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-10A
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hFE
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>15
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Ptot
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90W
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fT
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>1.5MHz
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TJ
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150°C
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BD810 è un transistor silicio PNP, Uce = 80V, Ic = 10A, d´application: transistor per stadi di uscita complementari con alta uscita di potenza, transist... [more]
BD810 è un transistor silicio PNP, Uce = 80V, Ic = 10A, d´application: transistor per stadi di uscita complementari con alta uscita di potenza, transistor di prestazione
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| Source: | datasheet Motorola Semiconduct... |
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Package: |
TO-220AB |
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BD810
PNP
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UCE/UCB
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-80/-80V
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IC
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-10A
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hFE
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>15
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Ptot
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90W
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fT
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>1.5MHz
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TJ
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BD810 è un transistor silicio PNP, Uce = 80V, Ic = 10A, d´application: transistor per stadi di uscita complementari con alta uscita di potenza, transist... [more]
BD810 è un transistor silicio PNP, Uce = 80V, Ic = 10A, d´application: transistor per stadi di uscita complementari con alta uscita di potenza, transistor di prestazione
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| Source: | datasheet Motorola Semiconduct... |
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Package: |
TO-220AB |
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