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BDY57
SI NPN Transistor
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UCE/UCB
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80/120V
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IC
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25A
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hFE
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10-60
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Ptot
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175W
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fT
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>7MHz
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TJ
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200°C
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der BDY57 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 80V, Ic = 25A, Anwend: Verstärker und Schalttransistor im militärischen und industriellen Bereichen, Leist... [mehr]
der BDY57 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 80V, Ic = 25A, Anwend: Verstärker und Schalttransistor im militärischen und industriellen Bereichen, Leistungstransistor
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| Quelle: | SGS ATES Databook discrete pow...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 5th edition 1982 |
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Gehäuse: |
TO-3 |
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BDY57
SI NPN Transistor
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UCE/UCB
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80/120V
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IC
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25A
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hFE
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10-60
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Ptot
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175W
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fT
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>7MHz
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TJ
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200°C
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der BDY57 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 80V, Ic = 25A, Anwend: Verstärker und Schalttransistor im militärischen und industriellen Bereichen, Leist... [mehr]
der BDY57 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 80V, Ic = 25A, Anwend: Verstärker und Schalttransistor im militärischen und industriellen Bereichen, Leistungstransistor
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| Quelle: | SGS ATES Databook discrete pow...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 5th edition 1982 |
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Gehäuse: |
TO-3 |
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