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BDY58
SI NPN Transistor
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UCE/UCB
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125/160V
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IC
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25A
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hFE
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10-60
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Ptot
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175W
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fT
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>7MHz
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TJ
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200°C
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der BDY58 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 125V, Ic = 25A, Anwend: Verstärker und Schalttransistor im militärischen und industriellen Bereichen, Leis... [mehr]
der BDY58 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 125V, Ic = 25A, Anwend: Verstärker und Schalttransistor im militärischen und industriellen Bereichen, Leistungstransistor
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Quelle: | SGS ATES Databook discrete pow...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 5th edition 1982 |
Gehäuse: |
TO-3 |
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BDY58
SI NPN Transistor
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UCE/UCB
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125/160V
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IC
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25A
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hFE
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10-60
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Ptot
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175W
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fT
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>7MHz
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TJ
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200°C
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der BDY58 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 125V, Ic = 25A, Anwend: Verstärker und Schalttransistor im militärischen und industriellen Bereichen, Leis... [mehr]
der BDY58 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 125V, Ic = 25A, Anwend: Verstärker und Schalttransistor im militärischen und industriellen Bereichen, Leistungstransistor
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Quelle: | SGS ATES Databook discrete pow...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 5th edition 1982 |
Gehäuse: |
TO-3 |
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