|
BDY58
NPN
|
|
UCE/UCB
|
125/160V
|
|
IC
|
25A
|
hFE
|
10-60
|
Ptot
|
175W
|
fT
|
>7MHz
|
TJ
|
200°C
|
BDY58 è un transistor silicio NPN, Uce = 125V, Ic = 25A, d´application: amplificatore e transistor di commutazione in ambito militare ed industriale, tr... [more]
BDY58 è un transistor silicio NPN, Uce = 125V, Ic = 25A, d´application: amplificatore e transistor di commutazione in ambito militare ed industriale, transistor di potenza
|
Source: | SGS ATES Databook discrete pow...... [more]
SGS ATES Databook discrete power devices 5th edition 1982 |
Package: |
TO-3 |
|
BDY58
NPN
|
|
UCE/UCB
|
125/160V
|
|
IC
|
25A
|
hFE
|
10-60
|
Ptot
|
175W
|
fT
|
>7MHz
|
TJ
|
200°C
|
BDY58 è un transistor silicio NPN, Uce = 125V, Ic = 25A, d´application: amplificatore e transistor di commutazione in ambito militare ed industriale, tr... [more]
BDY58 è un transistor silicio NPN, Uce = 125V, Ic = 25A, d´application: amplificatore e transistor di commutazione in ambito militare ed industriale, transistor di potenza
|
Source: | SGS ATES Databook discrete pow...... [more]
SGS ATES Databook discrete power devices 5th edition 1982 |
Package: |
TO-3 |
|
|
|