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VNP28N04ST
0.49€ / 1

IRFBC30


SI N-MOSFET Transistor

UDS 600V
IDS DC/AC 4.3A / 8A
UGS -
RDS(ON) ≤2.2Ω
Ptot 100W
TON/TOFF --
der IRFBC30 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 600V, Ids = 4.3A, Anwend: schneller Schalttransistor, Power MOSFET, Motor- Steuerung, industrieller Einsatz,... [mehr]
der IRFBC30 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 600V, Ids = 4.3A, Anwend: schneller Schalttransistor, Power MOSFET, Motor- Steuerung, industrieller Einsatz, Regler, Schalttransistor, chopper (Zerhacker), Transistor für höhere Ströme, Konverter (Umsetzer)
Quelle:SGS Thomson Power MOS Devices...... [mehr]
SGS Thomson Power MOS Devices 2nd Ed. 1992 Databook
Gehäuse: TO-220

IRFBC30


SI N-MOSFET Transistor

UDS 600V
IDS DC/AC 4.3A / 8A
UGS -
RDS(ON) ≤2.2Ω
Ptot 100W
TON/TOFF --
der IRFBC30 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 600V, Ids = 4.3A, Anwend: schneller Schalttransistor, Power MOSFET, Motor- Steuerung, industrieller Einsatz,... [mehr]
der IRFBC30 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 600V, Ids = 4.3A, Anwend: schneller Schalttransistor, Power MOSFET, Motor- Steuerung, industrieller Einsatz, Regler, Schalttransistor, chopper (Zerhacker), Transistor für höhere Ströme, Konverter (Umsetzer)
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SGS Thomson Power MOS Devices 2nd Ed. 1992 Databook
Gehäuse: TO-220
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