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BDV64B
SI PNP darlington Transistor
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UCE/UCB
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-100/-100V
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|
|
IC
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-10A
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|
hFE
|
>1000
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Ptot
|
125W
|
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TON/TOFF
|
--
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|
TJ
|
150°C
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der BDV64B ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, Anwend: Komplementär- Endstufen (Universaltyp), Leistungstransistor |
| Quelle: | datasheet Motorola Semiconduct... |
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Gehäuse: |
TO-218 |
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BDV64B
SI PNP darlington Transistor
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UCE/UCB
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-100/-100V
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IC
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-10A
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hFE
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>1000
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Ptot
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125W
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TON/TOFF
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TJ
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150°C
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der BDV64B ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, Anwend: Komplementär- Endstufen (Universaltyp), Leistungstransistor |
| Quelle: | datasheet Motorola Semiconduct... |
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Gehäuse: |
TO-218 |
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