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BDV64B
SI PNP darlington transistor
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UCE/UCB
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-100/-100V
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IC
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-10A
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hFE
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>1000
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Ptot
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125W
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TON/TOFF
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--
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TJ
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150°C
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le BDV64B c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: dispositif de sortie dans un amplificateur polyvalent complé... [plus]
le BDV64B c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: dispositif de sortie dans un amplificateur polyvalent complémentaire, Transistor de puissance
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| Source: | datasheet Motorola Semiconduct... |
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Package: |
TO-218 |
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BDV64B
SI PNP darlington transistor
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UCE/UCB
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-100/-100V
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IC
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-10A
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hFE
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>1000
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Ptot
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125W
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TON/TOFF
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TJ
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150°C
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le BDV64B c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: dispositif de sortie dans un amplificateur polyvalent complé... [plus]
le BDV64B c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: dispositif de sortie dans un amplificateur polyvalent complémentaire, Transistor de puissance
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| Source: | datasheet Motorola Semiconduct... |
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Package: |
TO-218 |
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